2006 年5月4日，JEDEC正式发布最终敲定的FB-DIMM规格标准，FB-DIMM是由Intel提出的一项新存储器架构，用意在于提升伺服器及高阶工作站的存储器效能，同时也扩增存储器的容量潜能。FB-DIMM（Full Buffered Dual In Line Memory Module，有时也写成FBDIMM）与现有的存储器架构相较到底有何承袭与革新？本文以下将对此更深入解析。
传统架构的效能、容量皆已受限
长久以来存储器一直倚赖两种手法来提升效能，一是加宽资料传输的并行度，另一是加快资料传输的时脉速度，不断加宽的结果是存储器模组（DIMM）的接脚数愈来愈多，从过去的FPM/EDO RAM 72pin、SDR SDRAM 168pin、DDR SDRAM 184pin，到今日DDR2 SDRAM的240pin，然而主机板的电路布局面积有限，难以再用拓宽线路数的方式来提升效能，虽然可以用增加电路板层数的方式来因应，但成本也会大增。
更具体而言，今日一个存储器通道（Channel）的宽度为64bit，在并行线路数的限制下，一般的运算系统多只能有两个通道，即是 128bit，难以再更宽，更宽多半要付出极高的代价，同时线路数愈多也就愈难掌控并行传输的时序准确性，使得实际布线设计变的困难，过往就经常要用蛇绕方式的布线来求取并列时序的同步。
另一个问题是时脉，透过并列同步频率的提升以达成加速的目标会带来副作用，即是愈高速愈会使传输线路的长度受限，这同样会造成电路布线设计时的难度，连带的也会使每通道的连接模组数受到约束，过去一个通道允许连接四条模组，之后降成两条模组，若方式不变未来一个通道仅能连接一个模组，这并非不可能，看看ATA硬碟介面，更高速的SATA仅允许一个通道连接一个ATA装置（硬碟），而过去较慢速的PATA则仍允许一个通道连接两个ATA装置。
即便模组数可以增加，然现有存储器架构的连接拓朴（Topology）属Stub-bus作法，即是同一时间、同一通道内只能有一个DIMM进行传输，其余的DIMM都必须闲置等候，如此传输效率依然卡在通道数、资料宽度的环节，难以改变。
通道数受限、模组数受限，自然存储器的扩充容量也会受限，倘若情形不改变，就只能倚赖存储器颗粒（晶片）的容量密度提升，然这就得倚赖半导体制程技术的精进才行（如从90nm进步至65nm）。很明显的，传统存储器架构已至多方窘困：效能、容量、线路数、时脉速、通道数、模组数、同步设计难度、电路面积成本等。
FB-DIMM的沿袭与变革
接着来看FB-DIMM的作法，FB-DIMM其实只改变存储器的连接架构与传输方式，在存储器颗粒方面仍是用今日常见的DDR2 SDRAM，但是在每个DIMM模组上追加一颗先进存储器缓冲（Advanced Memory Buffer；AMB）晶片，所有在DIMM上头的DDR2 SDRAM颗粒都与AMB晶片相连，再由AMB晶片与主机板相连，不再是过去让每颗DDR2 SDRAM颗粒自行与主机板相连，简单说即是一律透过AMB来转换、转接。
至于如何转换转接呢？AMB将原有DDR2 DIMM的64bit并列资料传输转换成24bit的串列传输，过去64bit并列传输是使用统一的传输时脉，且64bit在单一时间内只能在读取「或」写入，不能让读取与写入同时发生，而AMB转换后变成14bit读取与10bit写入，且在串列传输中夹带时脉信号（类似PCIe的8b10b法），各 bit的传输时序不用整齐一致（即指同步），没有过去并列传输常要担忧的串音干扰，并允许各bit尽其所能的加快传输。
此外，DDR2 SDRAM使用的单端式（Single End）传输，逻辑定义来自绝对性的电压准位，如LVTTL、SSTL、HSTL等，难以长距离传输，如今AMB将单端传输转换成差动式（Differential）传输，以一对传输线路间的相对电压差作为逻辑定义，因此可长距、高速传输，也因此FB-DIMM的每通道可串接八个 DIMM，不似现有传统架构仅能两个DIMM。
从64bit同步并列改成24bit非同步串列后，FB-DIMM的线路数也获得大幅缩减，过去要用240pin与存储器控制器（即北桥晶片）相连，如今只需用69pin相连，如此布线设计更容易（线路减少，不用时序同步），电路面积、层数等制造成本也可缩减。
进一步地说，每个FB-DIMM上的AMB晶片会相互串接，且如前所述可在单一通道内串接八条DIMM，即是串接八颗AMB，八颗AMB相互间以点对点（Point-to-Point）的方式连接，因此两点间可高速交换传递资讯，逐颗串接后会形成一个链（Chain）状连接，每个通道中只有第一颗 AMB晶片会与存储器控制器连接，其余都是相互串接，串接的结果变成每颗AMB（DIMM）随时都可以传输，不似传统Stub-bus架构同时间只能有一条DIMM传输，明显的FB-DIMM/AMB作法较不易产生传输瓶颈，进而增加整体传输率。附带一提的是，串接的部分包含14pin的读取与10pin 的写入，每个bit用一对差动线路构成，在专业用语上称为传输巷（Lane），而14pin的串接称为北面（Northbound），10bit写入称为南面（Southbound）。
此外，为何要称为Full Buffered，因为过去SDR SDRAM时代就用过Buffer技术，但只用在位址线路与控制线路，未用在资料线路，属于部分性的Buffer运用，运用Buffer缓冲可提升信号的发散（Fan Out；扇出）驱动力，这在过去单一DIMM上的颗粒过多时必须使用。如今FB-DIMM则是各颗粒的所有运作信号都要进行Buffered，所以称为 Full Buffered。
之后，由于并列宽度与速度都提升，Buffer没有并列传输的同步机制，容易使传输失误，所以改成有同步机制的Registered作法，即是今日所称的Registered SDRAM，然预计Full Buffered作法将在二、三年内取代Registered。至于为何不在DIMM上也用Registered？因为各bit的传输已内含自用的时脉（称为Self-Clocking），各bit不用时序同步，所以不需要。
而AMB的转换也将侦错、更错机制进行改变，由过去的ECC（Error Correcting Code）换成CRC（Cyclical Redundancy Check），使侦错、更错能力获得提升。
计算FB-DIMM的提升效益
改采FB-DIMM架构后真的可以加速与容量拓增吗？对此一样以机制原理来解释。
以现有DDR2 800而言，使用200MHz时脉可得到800Mbps传输率，乘以64bit可得51.2Gbps，除以8则成6.4GB/Sec。
同样的时脉频率用于FB-DIMM，则每个bit能有4.8Gbps，乘以24bit可得115.2Gbps，除以8为14.4GB/Sec，如此在同样的单一通道、同样的传输时脉下，FB-DIMM的14.4GB/Sec远胜传统的6.4GB/Sec。而且如前所述，FB-DIMM仅有69pin 与存储器控制器相连，远少于现今的240pin，这意味着：取消一个传统通道的设置，可以改设置三个FB-DIMM通道，且使用线路、占用面积依然少于传统通道（69pinx3＜240pin），串接方式也比Stub-bus更省电路面积。如此，原本可以设置两个传统通道的电路板，可以改设置成六个FB- DIMM通道，六个通道同时启用，则最高传输率可达86.4GB/Sec。
不过，86.4GB/Sec只是理想值，重点依旧在存储器颗粒上，FB-DIMM仍是使用DDR2颗粒，DDR2颗粒并行传输若只能达 6.4GB/Sec，那么六个通道同时启用也只能获得38.4GB/Sec，此一瓶颈与硬碟的内外部传输率相类似，FB-DIMM的极致传输值如同硬碟外部的介面传输率，DDR2颗粒的传输率如同硬碟内部的磁头感应速率，真正的整体效能取决于内部、外部居次，外部更快速只是预留频宽，以待日后内部传输率提升时仍可因应，使外部不至成为整体传输的碍阻。
如此，FB-DIMM将DIMM数从二增至八，Channel数从二增至六，使FB-DIMM架构的最高DIMM数达四十八条，相对的传统架构仅四条，差异为二十四倍。
图左为一个DDR2 Registered DIMM通道的布线图，图右则为二个FB-DIMM通道的布线图
更多的益处
FB-DIMM除了能提升传输、拓增容量，其实还带来更多传统架构时所较难实现的好处：
- 由AMB晶片统管各存储器颗粒，反而能消弥以往传统架构所常出现的DRAM颗粒相容性问题，因为此一电气特性差异已由AMB转化吸收，只要通道内的每条 DIMM都使用同一业者的同一型款AMB晶片，颗粒相容性问题就容易排除，其他如负载效应平衡、阻抗匹配问题也都容易解决。
- 更容易实现伺服器系统所需要的存储器坚稳机制，例如由AMB负责管控，若某颗DRAM颗粒暂时或永久失效，则可由其他备援颗粒来暂顶或取代。此外，也因为相同线路数下可比过去多设置1、2个通道，因此要实现如Chipkill之类的记忆体镜射阵列（Memory RAID）防护也更容易。类似的情况，当某一传输巷（Lane、bit）失效或故障时，因为各bit毫无相依关连，也可即时由其他传输巷来替顶。
- 要在串列传输中增加特色功效机制也比并列方式容易，例如改用更先进的侦错、除错编码法，或添入传输加密等，这些追加只需稍减损原有的传输频宽即可达成，相对的并列传输得拓增更多的相关线路才能办到，在硬体工程上有较高的变更成本。
- 过去伺服器管理者经常碍于单一系统内可用的DIMM数过少，迫使采购初期就得用单条高容量的DIMM，但也必须接受较贵的单价，否则没有足够的DIMM数可供扩充，而改採FB-DIMM后则可抒解此一问题，因为一通道内最多可有八个DIMM，使存储器的容量组态弹性、最高扩充容量都获得改善。
- 此一特点其实也源自第一项特点，透过AMB的转化，日后即便DRAM颗粒改朝换代也可持续相容，现在使用DDR2 SDRAM，日后也可升级使用新一代的DDR3 SDRAM，或其他类型的DRAM。
FB-DIMM也有隐忧、威胁
乍听之下FB-DIMM的一切表现都超越传统，然事实真如此吗？事实上FB-DIMM也有其隐忧，以下也逐一讨论：
- 高速的AMB晶片功耗相当高，就一般而言，过去的DDR DIMM约5.4W，DDR2 DIMM因颗粒制程的进步而降至约4.4W，然使用DDR2颗粒的FB-DIMM却增至10.4W（因为加了AMB晶片），这在讲究营运成本精省的今天是一大致命伤，同时更高的功耗也使散热更困难，多条密排的DIMM将不易设计散热，如此不易运用在刀锋伺服器或超薄伺服器等散热空间有限的系统上，例如 Sun在评估过FB-DIMM后就透露出可能放弃在薄型或省电型的伺服器中使用。
- 在DIMM上追加AMB晶片也使DIMM模组上的电路复杂度增加，这对DIMM模组的制造商而言也有些挑战要克服。
- 老实说FB-DIMM的原理与Rambus的RDRAM相近，主要差别只在FB-DIMM是以相容现有DRAM颗粒的方式来实现，以此规避技术专利，但就成本与简化性而言，反而是RDRAM较有利。
- Rambus 已在推行比RDRAM更先进的XDR RAM及XDR2 RAM，XDR RAM是RDRAM的进化，将位址线、控制线分立出来，如此传输的延迟性（Latency）可低于RDRAM，且将用在Sony的新一代电视游乐器： PlayStation 3（PS3）上，FB-DIMM面对RDRAM已居弱位，如今就更难面对XDR RAM，唯FB-DIMM是JEDEC国际标准，此点胜过RDRAM、XDR RAM的独家业者授权。
支持业者与展望未来
最后，除了Intel发起外，Dell、HP等系统大厂都已表态支持FB-DIMM，DIMM模组业者如A-DATA、Apacer、Crucial、 Kingston、SMART Modular Technologies也都支持，存储器颗粒业者也是全面投入AMB的研发及量产，如Samsung、Micron、Hynix、 NEC/Elpida、Infineon等，就连IDT也投入AMB晶片的战局，同时各大厂也将持续提升FB-DIMM的传输率，预计将既有每Lane的 4.8Gbps提升至6.4Gbps，甚至上看9.6Gbps。